ISP16DP10LM 12V-250V P溝道功率MOSFET為設(shè)計(jì)人員提供一個(gè)新選項(xiàng)，以便在優(yōu)化性能的同時(shí)簡化電路。P溝道器件的主要優(yōu)點(diǎn)是降低了中低功耗應(yīng)用中的設(shè)計(jì)復(fù)雜性。P溝道功率MOSFET非常適合用于電池保護(hù)、反極性保護(hù)、線性電池充電器、負(fù)載開關(guān)、直流-直流轉(zhuǎn)換器和低壓驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：P 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：2.1A（Ta）， 3.9A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：160 毫歐 @ 2.2A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：2V @ 1.037mA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：42 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2100 pF @ 50 V

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），5W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-SOT223-4

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

應(yīng)用

● 電池保護(hù)

● 反極性保護(hù)

● 線性電池充電器

● 負(fù)載開關(guān)

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 低壓驅(qū)動(dòng)

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