IPA60R199CP 是 英飛凌的 N溝道功率MOSFET，屬于 CoolMOS? CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封裝，適用于高效率電源轉(zhuǎn)換、工業(yè)電力系統(tǒng)及汽車電子等應(yīng)用。該器件采用 先進(jìn)的超結(jié)（Super Junction）技術(shù)，具有低導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、高開關(guān)速度及優(yōu)異的散熱性能，可顯著提升系統(tǒng)效率并減少PCB空間占用。

核心特性

高耐壓：650V 漏源電壓（VDS），適用于 AC-DC電源、太陽能逆變器 等高電壓應(yīng)用。

低導(dǎo)通電阻：199mΩ（最大值）@10V VGS，減少導(dǎo)通損耗，提高能效。

高電流能力：16A 連續(xù)漏極電流（ID）（25°C時，殼溫限制）。

快速開關(guān)性能：上升時間5ns，下降時間5ns，優(yōu)化高頻開關(guān)應(yīng)用。

低柵極電荷（Qg）：32nC @10V，減少驅(qū)動損耗，適配低功耗控制電路。

車規(guī)級可靠性：工作溫度 -55°C ~ +150°C，符合 RoHS無鉛標(biāo)準(zhǔn)，適用于嚴(yán)苛環(huán)境。

技術(shù)參數(shù)

型號：IPA60R199CP 

封裝：TO-220FP（PG-TO-220-FP）

漏源電壓（VDS）： 650V

連續(xù)漏極電流（ID）：16A

脈沖漏極電流（IDM）：51A

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：199mΩ（最大值） VGS=10V, ID=9.9A

柵極電荷（Qg）：32nC VGS=10V

輸入電容（Ciss）： 1520pF VDS=100V

最大功率耗散（PD）：34W Tc=25°C

開關(guān)時間：上升5ns / 下降5ns

工作溫度范圍：-55°C ~ +150°C

潛在應(yīng)用

太陽能

服務(wù)器

通信

消費(fèi)品

適配器

計算機(jī)電源

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