IRFB3306GPBF是 英飛凌旗下 HEXFET? 系列 的一款 N溝道功率MOSFET，采用 TO-220AB封裝，適用于高電流開關(guān)、電源轉(zhuǎn)換及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等應(yīng)用。該器件憑借低導(dǎo)通電阻、高電流承載能力及優(yōu)異的散熱性能，成為工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域的優(yōu)選方案。

特性（IRFB3306GPBF）

符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的通孔式電源封裝

高電流額定值

符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品認(rèn)證

針對(duì)開關(guān)頻率低于<100 kHz的應(yīng)用優(yōu)化的硅材料

與上一代硅材料相比，體二極管更柔和

提供廣泛的產(chǎn)品組合

技術(shù)參數(shù)（IRFB3306GPBF）

漏源電壓 ：60V

連續(xù)漏極電流 ：在 25°C 時(shí)為 160A，當(dāng)結(jié)溫為 150℃時(shí)為 120A

導(dǎo)通電阻 ：最大值為 4.2mΩ @ 75A，10V，典型值為 3.3mΩ @ 79A，10V，1.9mΩ @ 112A，10V

柵極閾值電壓 ：最大值為 4V @ 150μA

柵極電荷量 ：最大值為 120nC @ 10V

輸入電容 ：最大值為 4520pF @ 50V

反向傳輸電容 ：最大值為 250pF

耗散功率 ：最大值為 230W（Tc）

工作溫度 ：-55℃~+175℃（TJ）

優(yōu)勢(shì)（IRFB3306GPBF）

標(biāo)準(zhǔn)引腳布局支持直接替換

高電流承載能力封裝

符合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的認(rèn)證級(jí)別

在低頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色

提升功率密度

為設(shè)計(jì)師提供靈活性，可選擇最適合其應(yīng)用的器件

應(yīng)用（IRFB3306GPBF）

開關(guān)電源中的高效率同步整流

不間斷電源

高速電源開關(guān)

硬開關(guān)和高頻電路

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動(dòng)性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對(duì)應(yīng)的 解決方案。

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  答：大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期，您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間，具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。

• 6.公司能開發(fā)票嗎？

  答：可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。