STD20NF06LAG：汽車級N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封裝介紹：STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導體獨特的STripFET工藝開發(fā)的，該工藝專門設計用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級高效隔離式DC-DC轉換器的主開關，…
STD20NF06LAG：汽車級N溝道60 V、32 mOhm典型值、24 A STripFET II功率MOSFET，DPAK封裝
介紹：
STD20NF06LAG功率MOSFET是使用意法半導體獨特的STripFET工藝開發(fā)的，該工藝專門設計用于最小化輸入電容和柵極電荷。這使得該器件適合用作高級高效隔離式DC-DC轉換器的主開關，適合電信和計算機應用，以及具有低柵極電荷驅動要求的應用。
詳細參數(shù)
制造商：STMicroelectronics
產(chǎn)品種類：MOSFET
技術：Si
安裝風格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：60 V
Id-連續(xù)漏極電流：24 A
Rds On-漏源導通電阻：40 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：2.5 V
Qg-柵極電荷：13 nC
最小工作溫度：- 55°C
最大工作溫度：+ 175°C
Pd-功率耗散：60 W
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
商標名：STripFET
系列：STD20NF06LAG
封裝：Reel
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
配置：Single
下降時間：12 ns
產(chǎn)品類型：MOSFETs
上升時間：50 ns
晶體管類型：1 N-Channel
典型關閉延遲時間：20 ns
典型接通延遲時間：11 ns
單位重量：360 mg
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