概述：意法半導(dǎo)體STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具有超低柵極電荷、30V柵極-源極電壓、83W總功耗、全球RDS(ON) x 面積以及全球品質(zhì)因數(shù)（ FOM）。該MOSFET的工作結(jié)溫范圍為-55C至150C，采用…
概述：
意法半導(dǎo)體STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高壓N溝道功率MOSFET，具有齊納保護(hù)功能和100%雪崩。該MOSFET還具有超低柵極電荷、±30V柵極-源極電壓、83W總功耗、全球RDS(ON) x 面積以及全球品質(zhì)因數(shù)（ FOM）。該MOSFET的工作結(jié)溫范圍為-55°C至150°C，采用DPAK（TO-252）A2型封裝。典型應(yīng)用包括反激式轉(zhuǎn)換器、LED照明以及平板電腦和筆記本電腦。
特性
超低柵極電荷
全球RDS(ON) x 面積
全球品質(zhì)因數(shù)（FOM）
±30V柵極-源極電壓
總功率耗散：83W
應(yīng)用
反激式轉(zhuǎn)換器
LED照明
平板電腦和筆記本電腦適配器
詳細(xì)參數(shù)
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS： 詳細(xì)信息
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：DPAK-3 (TO-252-3)
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：800 V
Id-連續(xù)漏極電流：10 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：450 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：3 V
Qg-柵極電荷：17.3 nC
最小工作溫度：- 55°C
最大工作溫度：+ 150°C
Pd-功率耗散：83 W
通道模式：Enhancement
封裝：Reel
封裝：Cut Tape
封裝：MouseReel
商標(biāo)：STMicroelectronics
配置：Single
下降時(shí)間：12.7 ns
產(chǎn)品類型：MOSFETs
上升時(shí)間：4 ns
工廠包裝數(shù)量：2500
子類別：Transistors
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：28.8 ns
典型接通延遲時(shí)間：10.6 ns
電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間：9:00-18:00
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