FDP020N06B-F102此 N 溝道 MOSFET 是使用先進的 PowerTrench? 工藝生產的，適用于最大程度降低導通電阻，同時保持出色的開關性能。

產品屬性

系列： PowerTrench?  

包裝： 管件  

FET 類型： N 通道  

技術：MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 60 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：120A（Tc）  

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V  

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）： 2 毫歐 @ 100A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.5V @ 250μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 268 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±20V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 20930 pF @ 30 V    

功率耗散（最大值）： 333W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 通孔  

供應商器件封裝： TO-220-3  

封裝/外殼： TO-220-3 

典型應用

用于 ATX / 服務器 / 電信 PSU 的同步整流

電池保護電路

電機驅動器

不間斷電源

可再生能源系統(tǒng)

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