MRH10N22U3SR 功率 MOSFET 提供極高的可靠性和增強的抗輻射性。Microchip 抗輻射 MOSFET 具有低 RDS（on） 和低總柵極電荷。這些設備專為總電離劑量 （TID） 和單粒子環(huán)境 （SEE） 而開發(fā)。M6? 在極端環(huán)境應用中表現出色，在高達 300 Krad TID 的輻射環(huán)境中仍符合規(guī)格要求。
產品屬性：
晶體管極性：N-Channel
通道數量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)漏極電流：22 A
Rds On-漏源導通電阻：38 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：4.48 V
Qg-柵極電荷：34 nC
封裝 / 箱體：U3
工作溫度：- 55°C 至 + 150°C
Pd-功率耗散：75 W
通道模式：Enhancement
商標：Microchip Technology
配置：Single
產品類型：MOSFETs
型號
品牌
封裝
數量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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Microchip Technology Incorporated（納斯達克股市代號：MCHP）美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商，為全球數以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關注嵌入控制半導體產品市…
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