GS66502B-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 利用獲得專利的 Island Technology? 和 GaNPX? 封裝等業(yè)界領先的先進技術進行創(chuàng)新。Island Technology? 單元布局實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GaNPX? 封裝在小型封裝中實現(xiàn)了低電感和低熱阻。GS66502B-MR 是一款底部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。

特性

650 V 增強型功率晶體管

底部冷卻配置

RDS(on) = 200 mΩ

IDS(max) = 7.5 A

超低 FOM Island Technology? 芯片

低電感 GaNPX? 封裝

簡單的柵極驅(qū)動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅(qū)動（-20 V / +10 V）

開關頻率極高（> 10 MHz）

快速可控的下降和上升時間

反向電流能力

零反向恢復損耗

5.0 x 6.6 mm2 PCB 基底面小

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

AC-DC 轉換器

直流-直流轉換器

不間斷電源

工業(yè)電機驅(qū)動器

家電電機驅(qū)動器

快速電池充電

D 類音頻放大器

電源適配器

無線功率傳輸

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