GS-065-008-1-L-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用獲得專利的 Island Technology? 單元布局，可實現(xiàn)大電流芯片性能和產(chǎn)量。 GS-065-008-1-L-MR是一款底部冷卻型晶體管，采用 5×6 mm PDFN 封裝，具有較低的結殼熱阻。 

特性

650 V 增強型功率晶體管

850 V 瞬態(tài)漏極至源極電壓

底部冷卻、小型 5×6 毫米 PDFN 封裝

RDS(on) = 225 mΩ

IDSmax,DC= 8 A / IDSmax,Pulse= 13.5 A

超低 FOM

底部冷卻、小型 5×6 mm PDFN 封裝

簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）

瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 V / +10 V）

開關頻率高（> 1 MHz）

快速可控的下降和上升時間

用于優(yōu)化柵極驅動的源檢測 (SS) 引腳

反向導通能力

零反向恢復損耗

符合 RoHS 3 (6+4) 標準

應用

電源適配器

LED 照明驅動器

快速電池充電

LLC 轉換器

功率因數(shù)校正

家電電機驅動器

無線電力傳輸

工業(yè)電源

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