商品名稱：GS-065-060-5-T-A-MR
數(shù)據(jù)手冊：
GS-065-060-5-T-A-MR.pdf
品牌：GaN Systems
年份：23+
封裝：GaNPX
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
GS-065-060-5-T-A-MR 是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。
GS-065-060-5-T-A-MR 是頂部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。
特性
AEC-Q101 和 AutoQual+?（增強型 AEC-Q101）
650 V 增強型功率晶體管
頂部冷卻、低電感 GaNPX? 封裝
RDS(on) = 25 mΩ
IDS(max) = 60 A
超低 FOM
簡單的柵極驅動要求（0 V 至 6 V）
瞬態(tài)容差柵極驅動（-20 / +10 V）
開關頻率極高（> 10 MHz）
快速可控的下降和上升時間
反向導通能力
零反向恢復損耗
小尺寸 9 x 7.6 mm2 PCB 基底面
雙柵極焊盤，可優(yōu)化電路板布局
符合 RoHS 3 (6+4) 標準
應用
板載充電器
牽引驅動
DC-DC 轉換器
交流-直流轉換器
工業(yè)電機驅動器
太陽能逆變器
無電橋圖騰柱 PFC
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
作為全球氮化鎵功率半導體領導廠商，GaN Systems致力為全球客戶提供業(yè)界最完整且高可靠的氮化鎵功率晶體管產(chǎn)品組合，在電動車、數(shù)據(jù)中心、再生能源、工業(yè)及消費電子等產(chǎn)業(yè)，驅動更高效率、高功率密度且更經(jīng)濟永續(xù)的電源解決方案。GaN Systems提供產(chǎn)品級和系統(tǒng)級一站式解決…
GS-065-060-5-B-A-TR
GS-065-060-5-B-A-TR是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。GS-065-060-5-B-A-TR是底部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。功能AEC-Q101 和 AutoQual+?（增強型 AEC-Q101） 650 V 增強型功率晶體管底部冷卻、低電感 GaNPX 封裝RD…
GS-065-008-1-L-TR
GS-065-008-1-L-TR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用獲得專利的 Island Technology 單元布局，可實現(xiàn)大電流芯片性能和產(chǎn)量。 GS-065-008-1-L-TR是一款底部冷卻型晶體管，采用 56 mm PDFN 封裝，具有…
GS-065-060-5-T-A-TR
GS-065-060-5-T-A-TR是一款汽車級 650 V E 模式硅基氮化鎵功率晶體管。GS-065-060-5-T-A-TR是頂部冷卻型晶體管，具有極低的結殼熱阻，適用于要求苛刻的高功率應用。特性AEC-Q101 和 AutoQual+?（增強型 AEC-Q101）650 V 增強型功率晶體管頂部冷卻、低電感 GaNPX 封裝RDS…
GS66516T-MR
GS66516T-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。GaN 的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 利用獲得專利的 Island Technology 和 GaNPX 封裝等業(yè)界領先的先進技術進行創(chuàng)新。Island Technology 單元布局實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GaNPX 封裝在小型封…
GS-065-008-1-L-MR
GS-065-008-1-L-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用獲得專利的 Island Technology 單元布局，可實現(xiàn)大電流芯片性能和產(chǎn)量。 GS-065-008-1-L-MR是一款底部冷卻型晶體管，采用 56 mm PDFN 封裝，具有…
GS-065-011-2-L-MR
GS-065-011-2-L-MR是一款增強型硅基氮化鎵功率晶體管。氮化鎵的特性可實現(xiàn)高電流、高電壓擊穿和高開關頻率。GaN Systems 采用行業(yè)領先的創(chuàng)新技術，如獲得專利的 Island Technology 單元布局，實現(xiàn)了大電流芯片和高產(chǎn)量。GS-065-011-2-L-MR是底部冷卻型晶體管，結殼熱阻低…電話咨詢：86-755-83294757
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