商品名稱：NVG600A75L4DSB2
數(shù)據手冊：
NVG600A75L4DSB2.pdf
品牌：ON
年份：23+
封裝：模塊
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1200 件
NVG600A75L4DSB2 屬于功率模塊系列，具有雙側冷卻和緊湊的基底面，適用于混合動力 (HEV) 和電動汽車 (EV) 牽引逆變器應用。該模塊由兩個半橋配置的場截止 4 (FS4) 窄中網 IGBT 組成。
產品特性
半橋雙側冷卻
超低雜散電感
Tj_max = 175°C 連續(xù)工作
低 VCESAT 和開關損耗
通過 AQG324 認證的 FS4 750V 窄 Mesa IGBT
智能片上電流和溫度傳感器
無軟線結構
應用
高功率 DC-DC 轉換器
將直流電池輸出轉換為交流牽引電機供電
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超級結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 TO24…
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UF3C120040K3S SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超級結器件。該器件采用 T0247-3 封裝，具有超…
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UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于獨特的 “級聯(lián) ”電路配置，其中一個常開 SiC JFET 與一個 Si MOSFET 共同封裝，從而產生一個常閉 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性使其成為 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結器件的真正 “直接替代品”。該器件采用 DPAK-3L…電話咨詢：86-755-83294757
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