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明佳達(dá)供求集成驅(qū)動(dòng)器 LMG3411R070 LMG3411R070RWHR P通道 12A 32-VQFN
型號(hào)：LMG3411R070 LMG3411R070RWHR
年份：21+
封裝：VQFN32
說(shuō)明：
具有集成驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能的 LMG341xR070 GaN 功率級(jí)使設(shè)計(jì)人員能夠在電力電子系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高水平的功率密度和效率。與硅 MOSFET 相比，LMG341x 的固有優(yōu)勢(shì)包括超低輸入和輸出電容、零反向恢復(fù)以將開(kāi)關(guān)損耗降低多達(dá) 80%，以及低開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)振鈴以降低 EMI。這些優(yōu)勢(shì)支持密集且高效的拓?fù)?，例如圖騰柱 PFC。
LMG341xR070 通過(guò)集成一組獨(dú)特的功能來(lái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)、最大限度地提高可靠性并優(yōu)化任何電源的性能，為傳統(tǒng)的共源共柵 GaN 和獨(dú)立 GaN FET 提供了一種智能替代方案。集成柵極驅(qū)動(dòng)可實(shí)現(xiàn) 100V/ns 開(kāi)關(guān)，Vds 振鈴接近零，<100ns 電流限制自我保護(hù)以防止意外擊穿事件，過(guò)熱關(guān)斷防止熱失控，系統(tǒng)接口信號(hào)提供自我監(jiān)控能力。
產(chǎn)品屬性
制造商: Texas Instruments
產(chǎn)品: MOSFET Gate Drivers
類型: High-Side, Low-Side
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: QFN-32
激勵(lì)器數(shù)量: 1 Driver
輸出端數(shù)量: 1 Output
電源電壓-最小: 9.5 V
電源電壓-最大: 18 V
上升時(shí)間: 15 ns
下降時(shí)間: 4.2 ns
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 125 C
系列: LMG3411R070
最大關(guān)閉延遲時(shí)間: 10 ns
最大開(kāi)啟延遲時(shí)間: 12 ns
濕度敏感性: Yes
工作電源電流: 43 mA
輸出電壓: 5 V
產(chǎn)品類型: Gate Drivers
傳播延遲—最大值: 36 ns
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 70 mOhms
子類別: PMIC - Power Management ICs
商標(biāo)名: GaN
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