深圳市明佳達(dá)電子有限公司全新原裝出售意法半導(dǎo)體高性能MCU STM32H750IBK6 基于高性能Arm? Cortex?-M7 32位RISC內(nèi)核，工作頻率高達(dá)400MHz。

STM32H750IBK6器件說(shuō)明：

該MCU采用高速嵌入式存儲(chǔ)器，具有高達(dá)2MB的雙區(qū)閃存、1 MB的RAM（包括192 KB的TCM RAM、864KB的用戶SRAM以及4KB的備份SRAM）。另外，該器件還具有各種連接到APB總線、AHB總線、2x32位多AHB總線矩陣的增強(qiáng)型I/O和外設(shè)，以及支持內(nèi)部和外部存儲(chǔ)器訪問(wèn)的多層AXI互連。

該器件設(shè)有三個(gè)ADC、兩個(gè)DAC、兩個(gè)超低功耗比較器、一個(gè)低功耗RTC、一個(gè)高分辨率定時(shí)器、12個(gè)通用16位定時(shí)器、兩個(gè)用于電機(jī)控制的PWM定時(shí)器、五個(gè)低功耗定時(shí)器和一個(gè)真隨機(jī)數(shù)發(fā)生器 (RNG)。該器件支持四個(gè)用于外部Σ-Δ調(diào)制器 (DFSDM) 的數(shù)字濾波器，并設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口。

特性

核心

具有雙精度FPU和L1高速緩存的32位 Arm? Cortex?-M7內(nèi)核：16KB數(shù)據(jù)和16KB指令高速緩存，

支持從256位嵌入式閃存單次訪問(wèn)一條高速緩存線；頻率高達(dá)400MHz，MPU、856DMIPS/2.14 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 和DSP指令

存儲(chǔ)器

高達(dá)2Mbyte閃存，具有同時(shí)讀寫(xiě)能力

1MB的RAM：192KB的TCM RAM（包括64KB的ITCM RAM + 128KB的DTCM RAM，用于存儲(chǔ)時(shí)間敏感的關(guān)鍵程序或數(shù)據(jù)）、864KB的用戶SRAM，以及4KB備份域SRAM

雙模Quad-SPI存儲(chǔ)器接口，運(yùn)行頻率高達(dá)133MHz

具有高達(dá)32位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器：在同步模式下，SRAM、PSRAM、SDRAM/LPSDR SDRAM、NOR/NAND閃存的時(shí)鐘頻率高達(dá)133MHz

CRC計(jì)算單元

安全性

ROP、PC-ROP、主動(dòng)篡改

通用輸入/輸出

多達(dá)168個(gè)具有中斷能力的I/O端口

運(yùn)行速率高達(dá)133MHz的快速I/O

多達(dá)164個(gè)5V容差I(lǐng)/O

復(fù)位和電源管理

3個(gè)獨(dú)立的電源域，可以獨(dú)立地進(jìn)行時(shí)鐘門控或關(guān)閉，以最大限度地提高電源效率：

D1：可實(shí)現(xiàn)高帶寬的高性能外設(shè)

D2：通信外設(shè)和計(jì)時(shí)器

D3：復(fù)位/時(shí)鐘控制/電源管理

1.62V至3.6V應(yīng)用電源和I/O

POR、PDR、PVD和BOR

嵌入3.3V內(nèi)部穩(wěn)壓器的專用USB電源，可為內(nèi)部PHY供電

具有可配置的可擴(kuò)展輸出的嵌入式穩(wěn)壓器 (LDO)，可為數(shù)字電路供電

在運(yùn)行和停止模式下進(jìn)行電壓調(diào)節(jié)（5個(gè)可配置范圍）

備份穩(wěn)壓器 (~0.9V)

模擬外設(shè)的參考電壓/VREF+

低功耗模式：睡眠、停止、待機(jī)以及VBAT支持電池充電

低功耗

總電流消耗低至4μA

時(shí)鐘管理

內(nèi)部振蕩器：64kHz HSI、48MHz HSI48、4MHz CSI、40kHz LSI

外部振蕩器：4MHz - 48MHz HSE、32.768kHz LSE

3個(gè)帶分?jǐn)?shù)模式的PLL（1個(gè)用于系統(tǒng)時(shí)鐘，2個(gè)用于內(nèi)核時(shí)鐘）

聯(lián)系人：陳先生

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