?IPB100N04S4-H2器件是一款由英飛凌（Infineon）生產的OptiMOS-T2 Power-Transistor，屬于功率場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的RDS(on)，能夠在工作期間將損耗降至最低，同時提供寬安全工作區(qū)(SOA)，確保在高浪涌電流下不會對負載造成損害…
?IPB100N04S4-H2器件是一款由英飛凌（Infineon）生產的OptiMOS-T2 Power-Transistor，屬于功率場效應晶體管（MOSFET）。該器件具有穩(wěn)健的線性工作模式和較低的RDS(on)，能夠在工作期間將損耗降至最低，同時提供寬安全工作區(qū)(SOA)，確保在高浪涌電流下不會對負載造成損害?。
特征描述
N 通道 - 增強模式
AEC 認證
MSL1 峰值回流溫度高達 260°C
175°C 的工作溫度
環(huán)保產品（符合 RoHS）
100% 經過雪崩測試?
優(yōu)勢
40V 時， RDS (on)為世界極低值
極高的沖擊電流能力
極低的開關功耗和傳導功率損耗，造就極高的熱效率
穩(wěn)固的封裝，出色的品質，高可靠性
優(yōu)化極柵電荷總量，實現(xiàn)更小的驅動器輸出級
潛在應用
OptiMOS-T2 40V 適用于各種 EPS 電機控制、三相和 H 橋電機、HVAC 風扇控制、電動泵等，特別適合與 PWM 控制結合使用。
OptiMOS-T2 40V 產品基于英飛凌先進溝槽柵技術，將成為下一代高能效、低 CO2 排放、電驅動汽車應用的標桿。
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