深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)）（回收）羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFETROHM SemiconductorN溝道SiC（碳化硅）功率MOSFET在開關(guān)期間不會產(chǎn)生尾電流，因此動作更快，開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極…
深圳市明佳達(dá)電子有限公司（供應(yīng)）（回收）羅姆晶體管 SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15 N溝道碳化硅功率MOSFET
ROHM SemiconductorN溝道SiC（碳化硅）功率MOSFET在開關(guān)期間不會產(chǎn)生尾電流，因此動作更快，開關(guān)損耗更低。它們的低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸確保了低電容和柵極電荷。這些ROHM SiC Power MOSFET的導(dǎo)通電阻增加非常微弱，封裝小型化更為出色。與標(biāo)準(zhǔn)硅器件相比，它們具有更出色的節(jié)能效果，在標(biāo)準(zhǔn)硅器件中，導(dǎo)通電阻隨溫度的升高可增加一倍以上。
SCT3080ARHRC15_SCT3080KRHRC15產(chǎn)品屬性
FET 類型： N 通道
技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）： 650 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：30A（Tc）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 18V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）： 104 毫歐 @ 10A，18V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）： 5.6V @ 5mA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）： 48 nC @ 18 V
Vgs（最大值）： +22V，-4V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）： 571 pF @ 500 V
FET 功能： -
功率耗散（最大值）： 134W
工作溫度： 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝： TO-247-4L
封裝/外殼： TO-247-4
特性
低導(dǎo)通電阻
開關(guān)速度快
功耗大大降低
易于并行工作
易于驅(qū)動
無鉛電鍍
快速反向恢復(fù)
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
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時(shí)間：2025-05-14
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