STGE200NB60S意法半導(dǎo)體利用基于專利帶狀布局的最新高壓技術(shù)，設(shè)計出了先進的 IGBT 系列，即PowerMESH? IGBT 系列性能。后綴 "S "代表該系列經(jīng)過優(yōu)化，可實現(xiàn)極低的 VCE(sat)。STGE200NB60S具有高輸入阻抗（電壓驅(qū)動），低導(dǎo)通壓降（Vcesat），關(guān)斷損耗包括尾流，低柵極電荷，高電流能力。

產(chǎn)品屬性

IGBT 類型：-

配置：單路

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V

電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：200 A

功率 - 最大值：600 W

不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.6V @ 15V，100A

電流 - 集電極截止（最大值）：500 μA

不同 Vce 時輸入電容 (Cies)：1.56 nF @ 25 V

輸入：標準

NTC 熱敏電阻：無

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SOT-227-4，miniBLOC

供應(yīng)商器件封裝：ISOTOP

應(yīng)用

? 低頻電機控制器

? 鋁焊接設(shè)備

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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