onsemi 推出的 NVBG050N170M1碳化矽（SiCSiC）MOSFET是1700V M1平面SiC MOSFET系列的一部分，該系列專為快速開關(guān)應用而優(yōu)化。此MOSFET具有最大76mΩ（在20V最大RDS(ON) 、1700V漏極至源極電壓、50A漏極連續(xù)電流和超低柵極充電/電荷（典型 QG(tot) = 107nC）時）。

關(guān)鍵特性

典型RDS(on) = 53mΩ（VGS = 20V）

超低柵極電荷（典型QG(tot) = 107nC）

低有效輸出電容（典型Coss = 97pF）

100% 經(jīng)雪崩測試

不含鹵素

符合RoHS指令（7a豁免）

無鉛2LI（二級互連）

NVBG050N170M1 SiC MOSFET的有效輸出電容較低（典型Coss = 97pF），柵極至源極電壓為-15V/+25V。該碳化硅MOSFET 100%經(jīng)過雪崩測試，采用D2PAK-7L封裝。NVBG050N170M1碳化矽（SiC）MOSFET為無鉛2LI，不含鹵化物，符合RoHS標準，豁免7a條。其典型應用包括反激式轉(zhuǎn)換器、電動汽車/混合動力汽車用DC-DC轉(zhuǎn)換器以及車載充電器（OBC）。

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