ISC320N12LM6 是一款120V，OptiMOS ? 6 功率 MOSFET 晶體管，導(dǎo)通電阻為 32 mOhm，采用 SuperSO8 封裝，產(chǎn)品詳情如下所示：

基本信息：

型號：ISC320N12LM6

封裝：PG-TDSON-8

類型：N-通道功率 MOSFET 晶體管

ISC320N12LM6 規(guī)格參數(shù)：

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TDSON-8

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 120 V

Id-連續(xù)漏極電流: 24 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 15.1 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 3.7 V

Qg-柵極電荷: 31 nC

最小工作溫度: - 55 ℃

最大工作溫度: + 175 ℃

Pd-功率耗散: 43 W

通道模式: Enhancement

產(chǎn)品類型: MOSFETs

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時間: 15 ns

典型接通延遲時間: 10 ns

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