IPG20N06S2L-50A 是一款高性能雙 N 溝道功率 MOSFET，屬于 OptiMOS? 系列。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高電流能力和出色的熱性能，適用于汽車級應(yīng)用。

產(chǎn)品特性（IPG20N06S2L-50A）

雙 N 溝道邏輯電平增強(qiáng)模式：適用于低電壓控制下的高電流驅(qū)動(dòng)。

符合汽車 AEC Q101 標(biāo)準(zhǔn)：確保在極端條件下保持可靠性和耐用性。

工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C。

環(huán)保特性：符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素。

100% 雪崩測試：保證在大電流脈沖下的安全性。

封裝形式：采用 PG-TDSON-8 封裝。

節(jié)省 PCB 面積：雙 Super S08 可替代多個(gè) DPAK，節(jié)省大量 PCB 空間。

降低系統(tǒng)級成本：優(yōu)化的封裝設(shè)計(jì)，減少系統(tǒng)成本。

規(guī)格參數(shù)（IPG20N06S2L-50A）

漏源極電壓（VDS）：最大 55V

漏極電流（ID）：

在 TC=25°C，VGS=10V 時(shí)，最大 20A

在 TC=100°C，VGS=10V 時(shí)，最大 16A

脈沖漏極電流（ID,pulse）：最大 80A

導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：

在 VGS = 10V 時(shí)，最大 50 mΩ

柵極電荷（QG）：

典型值 13 nC（@10V）

最大值 17 nC（@10V）

總功耗（Ptot）：最大 51W（@25°C）

結(jié)殼熱阻（RthJC）：最大 2.9 K/W

柵極閾值電壓（VGS(th)）：1.6V

封裝：PG-TDSON-8

應(yīng)用領(lǐng)域

IPG20N06S2L-50A 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：

汽車電子：如燃油直噴、ABS 閥門、電磁閥控制、負(fù)載開關(guān)、LED 和車身照明。

開關(guān)電源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 轉(zhuǎn)換器。

電機(jī)驅(qū)動(dòng)：適用于工業(yè)自動(dòng)化和電動(dòng)汽車。

不間斷電源（UPS）：在 UPS 系統(tǒng)中作為功率開關(guān)。

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