60kHz進行了優(yōu)化,以提供最佳效率,彌補MOSFET和IGBT之間的差距。" />

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商品型號:AIGB30N65F5ATMA1

商品名稱:AIGB30N65F5ATMA1

數(shù)據手冊:AIGB30N65F5ATMA1.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封裝:TO-263-3

貨期:全新原裝

庫存數(shù)量:1000

數(shù)量:
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技術參數(shù)

制造商
INFINEON
型號
AIGB30N65F5ATMA1
封裝
TO-263-3
描述
IGBT NPT 650 V 30 A 表面貼裝型 PG-TO263-3-2

產品描述

AIGB30N65F5ATMA1 TRENCHSTOP? 5 F5分立式IGBT針對開關>60kHz進行了優(yōu)化,以提供最佳效率,彌補MOSFET和IGBT之間的差距。與目前領先解決方案相比,F(xiàn)5系列顯著降低了開關損耗。目標拓撲為不間斷電源 (UPS)、逆變焊機和開關電源 (SMPS) 等應用中常見的升壓級、PFC(交流-直流)級和高壓直流-直流拓撲。 直流)級和高壓直流-直流拓撲。650V Trenchstop? 5 F5 igbt與碳化硅二極管共同針對低電感設計,提供的效率比650V Trenchstop? 5 H5系列高出1%。F5產品需要的設計工作更多,但回報也更高。


功能和優(yōu)點:

高速 F5 技術提供:

?在硬交換和諧振拓撲中的最高效率拓撲

?650V 擊穿電壓-低柵極充電 QG

?最高結溫 175°C

?通過動態(tài)耐壓測試

?通過 AEC-Q101 認證

?綠色包裝(符合 RoHS 標準)


應用

?板外充電器

?板載充電器

?DC/DC轉換器

?功率因數(shù)校正

相關聯(lián)產品

型號

品牌

封裝

數(shù)量

描述

RGE60TS65DGC13

ROHM

TO-247GE

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE

APT80GA90LD40

Microchip

TO-264-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-264

APT75GN60LDQ3G

Microchip

TO-264-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264

APT50GN60BDQ2G

Microchip

TO-247-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247

APT35GP120BG

Microchip

TO-247-3

2000

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) PT MOS 7 Single 1200 V 35 A TO-247

APT35GN120L2DQ2G

Microchip

TO-264-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX

APT100GN60LDQ4G

Microchip

TO-264-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264

APT50GN60BDQ3G

Microchip

TO-247-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247

APT65GP60L2DQ2GQ

Microchip

TO-247-3

1500

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) FG, IGBT-COMBI, 600V, TO-264 MAX, RoHS

FGAF40N60SMD

ON

TO-3PF

2000

絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 600 V 40 A 79 W

常見問題

  • 1.平臺上看到的庫存、價格準確嗎?

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INFINEON

INFINEON

英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領先的半導體公司之一。其前身是西門子集團的半導體部門,于1999年獨立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…

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