1ED21471S65F 650V高側(cè)柵極驅(qū)動器設(shè)計用于為高壓功率晶體管提供穩(wěn)健高效的控制。1ED21471S65F采用高側(cè)驅(qū)動器架構(gòu)，支持各種應(yīng)用，包括電機驅(qū)動器、太陽能逆變器和工業(yè)電源。其主要特性包括集成自舉二極管、快速開關(guān)能力，以及全面的保護機制，如欠壓閉鎖 (UVLO) 和過電流保護。這些特性使EiceDRIVER? 1ED21471S65F成為增強高壓電源系統(tǒng)性能和可靠性的理想選擇。

基本參數(shù)

型號：1ED21471S65F

驅(qū)動配置：高端

通道類型：單路

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：IGBT，SiC MOSFET

電壓 - 供電：10V ~ 22V

邏輯電壓 - VIL，VIH：0.8V，2.4V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：4A，4A

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：650 V

上升/下降時間（典型值）：12ns，12ns

工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝/外殼：PG-DSO-8

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