STW58N60DM2AG是意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）推出的一款N溝道功率MOSFET，屬于MDmesh? DM2系列，采用TO-247-3封裝，適用于高壓、大電流開關(guān)應(yīng)用，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)控制和汽車電子等領(lǐng)域。

STW58N60DM2AG功能

專為汽車應(yīng)用設(shè)計并通過 AEC-Q101 認(rèn)證

快速恢復(fù)體二極管

極低的柵極電荷和輸入電容

低導(dǎo)通電阻

100% 通過雪崩測試

極高的 dv/dt 強(qiáng)度

齊納保護(hù)型

STW58N60DM2AG產(chǎn)品屬性

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: Through Hole

封裝 / 箱體: TO-247-3

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V

Id-連續(xù)漏極電流: 50 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 60 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V

Qg-柵極電荷: 90 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 150 C

Pd-功率耗散: 360 W

通道模式: Enhancement

資格: AEC-Q101

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