MSC080SMA120B是一個1200V，37A N通道 SiCFET MOSFET 器件，采用 TO-247-3 引腳封裝，功耗最高為208W。該碳化硅 (SiC) MOSFET 具有良好的動態(tài)性能和熱性能。典型應用包括智能電網(wǎng)輸配電、感應加熱和焊接、供電及配電。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：37A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：100 毫歐 @ 15A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：64 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+23V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：838 pF @ 1000 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：200W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

基本產(chǎn)品編號：MSC080

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