A2F200M3F-1CS288I 是一款采用硬核 ARM Cortex-M3 的超低密度器件。
產品屬性：
核心：ARM Cortex M3
內核數量：1 Core
最大時鐘頻率：100 MHz
L1緩存指令存儲器：-
L1緩存數據存儲器：-
程序存儲器大?。?56 kB
數據 RAM 大小：64 kB
邏輯元件數量：2000 LE
自適應邏輯模塊 - ALM：-
嵌入式內存：36 kbit
商標：Microchip Technology
濕度敏感性：Yes
邏輯數組塊數量——LAB：-
封裝：Tray
產品類型：SoC FPGA
系列：A2F200
描述：
SmartFusion? 系列 cSoC 建立在 Fusion 混合信號 FPGA 首次引入的技術之上。SmartFusion cSoC 是通過在閃存半導體工藝上將 FPGA 技術與可編程高性能模擬和硬化 ARM Cortex-M3 微控制器模塊集成而實現(xiàn)的。SmartFusion cSoC 得名于將這三種分立技術集成在單個芯片上，為您提供最低的擁有成本和最小的占用空間解決方案。
型號
品牌
封裝
數量
描述
答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應的 解決方案。
答：我們的自營商品均采自合作的國內外原廠或授權代理商，來源均可追溯，確保原裝正品。
答：目前我們自營代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一線品牌，其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要，我們可以針對具體品牌型號來溝通確認。
答：可以通過網站上詢價，也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答：大部分商品信息中都有標注貨期，您可根據貨期估計商品的發(fā)貨時間，具體到貨時間根據商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答：可以為個人用戶開具普通發(fā)票，也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
Microchip Technology Incorporated（納斯達克股市代號：MCHP）美國微芯半導體是全球領先的單片機和模擬半導體供應商，為全球數以千計的消費類產品提供低風險的產品開發(fā)、更低的系統(tǒng)總成本和更快的產品上市時間。Microchip公司自成立以來，就密切關注嵌入控制半導體產品市…
VSC7425XJG-02
VSC7425XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 18 端口千兆以太網 (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 4 端口 PHY VSC8514 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 18 端口交換機。VSC7425 采用全新 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)界最具成本效益、功耗最低的器件之一…
VSC7552TSN-V/5CC
VSC7552TSN-V/5CC SparX-5i-128 是一款 128 Gbps 工業(yè)以太網交換機，支持 1G、2.5G、5G、10G 和 25G 以太網端口組合。該器件提供豐富的工業(yè)以太網交換功能，包括完整的 TSN 功能集、L2 交換、L3 路由、無縫冗余和高精度定時。它采用多級多功能內容感知處理器（VCAP）技術…
VSC7427XJG-02
VSC7427XJG-02是業(yè)界首款完全集成的 26 端口千兆以太網 (GE) 交換機，在單個封裝中集成了 12 個銅纜 PHY。與 12 端口 PHY VSC8512 配合使用，只需兩個集成電路即可設計出 26 端口交換機。VSC7427 采用新型 65 納米 SimpliPHY 技術，是業(yè)內最具成本效益、功耗最低的器件之…
APT80GA90LD40
APT80GA90LD40是一款高速穿透式開關模式 IGBT器件。通過領先的技術硅設計和壽命控制流程，實現(xiàn)低 Eoff。減少 Eoff - VCE(ON) 的權衡，使其與其他 IGBT 技術相比，具有更優(yōu)越的效率。技術規(guī)格APT80GA90LD40的主要規(guī)格包括：IGBT 類型：PT電壓 - 集射極擊穿（最大值）：900…
APT75GN60LDQ3G
APT75GN60LDQ3G是一款600 V 溝槽型場截止型IGBT，主要應用于功率控制領域?；緟礗GBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：155 A電流 - 集電極脈沖 (Icm)：225 A不同 Vge、Ic 時 Vce(on)（最大值）：1.85V @ 15V，75A…
APT50GN60BDQ2G
APT50GN60BDQ2G是由Microchip推出的一款采用TO-247封裝的絕緣柵雙極晶體管(IGBT)，具有FLANGE MOUNT結構，適用于各種工業(yè)應用中的緊湊型設計需求。技術參數APT50GN60BDQ2G的主要參數如下：IGBT 類型：溝槽型場截止電壓 - 集射極擊穿（最大值）：600 V電流 - 集電極 (Ic)（…電話咨詢：86-755-83294757
企業(yè)QQ：1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務時間：9:00-18:00
聯(lián)系郵箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權歸明佳達電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接:
