GS-065-004-6-L-MR屬于 700V CoolGaN?功率晶體管是增強模式硅基氮化鎵功率晶體管，具有大電流、高電壓擊穿和高開關(guān)頻率特性。該GaN系統(tǒng)創(chuàng)新采用行業(yè)領(lǐng)先的技術(shù)，如獲得專利的Island Technology? 單元布局，實現(xiàn)了大電流裸芯和高產(chǎn)量。

GS-065-004-6-L-MR器件規(guī)格：

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： GaNFET（氮化鎵）  

漏源電壓（Vdss）： 700 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 4.6A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 6V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 455 毫歐 @ 1.2A，6V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2.6V @ 1mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 0.8 nC @ 6 V  

Vgs（最大值）： +7V，-10V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 26 pF @ 400 V  

工作溫度： -55°C ~ 150°C（TJ） 

GS-065-004-6-L-MR產(chǎn)品應(yīng)用：

? 電源適配器

? LED 照明驅(qū)動器

? 快速電池充電

? 功率因數(shù)校正

? 家電電機驅(qū)動器

? 無線電力傳輸

? 工業(yè)電源

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