DM50S08T6是具有超低傳導(dǎo)損耗和低開關(guān)損耗的 MOSFET 功率分立器件。

封裝：T6

額定電流：-

芯片類型：SIC

額定電壓：750V

電路結(jié)構(gòu)：單相/橋

特征：T-包裝

DM50S08T6-產(chǎn)品特性

? SiC 功率 MOSFET

? 低 RDS(on)

? 芯片燒結(jié)技術(shù)

? 避免振蕩的低電感外殼

? 采用 Si3N4 AMB 技術(shù)的隔離式散熱器

? ROHS

DM50S08T6-典型應(yīng)用

? 汽車應(yīng)用

? 混合動力和電動汽車

? 電機(jī)驅(qū)動逆變器

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