RFD12N06RLESM9A 是 N 溝道 UltraFET 功率 MOSFET 60V、17A、71mΩ 晶體管。

產品屬性：

FET 類型：N 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏極至源極電壓 (Vdss)：60 V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id) @ 25°C:18A (Tc)

驅動電壓（最大 Rds 導通，最小 Rds 導通）：4.5V，10V

Rds On（最大）@ Id，Vgs：63mOhm @ 18A，10V

柵極電荷（Qg）（最大值）@ Id：3V @ 250μA

柵極電荷 (Qg)（最大值）@ Vgs：15 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±16V

輸入電容 (Ciss)（最大值）@ Vds：485 pF @ 25 V

功率耗散（最大值）：49W (Tc)

工作溫度：-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：TO-252AA

特性

超低導通電阻

rDS(ON) = 0.063，VGS = 10V

rDS(ON) = 0.071，VGS = 5V

仿真模型

溫度補償 PSPICE? 和 SABER? 電氣模型

Spice 和 SABER? 熱阻抗模型

峰值電流與脈沖寬度曲線

UIS 額定值曲線

開關時間與 RGS 曲線

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