MSCSM120DAM31CTBL1NG MOSFET電源模塊是高效轉換器，采用厚銅Si3N4 基板，可提高散熱性能。這些模塊采用薄型設計，可直接安裝到散熱片（隔離式封裝）、內部熱敏電阻（用于溫度監(jiān)控）以及擴展溫度范圍。反向工作電壓 (VR) 為1.2kV，柵極-源極電壓范圍 (VGS) 為-10V至25V，功率耗散 (Pd) 為310W/560W，連續(xù)漏極電流 (Id) 為 79A/150A。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：79A

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：31 毫歐 @ 40A，20V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.8V @ 1mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：232 nC @ 20 V

Vgs（最大值）：+25V，-10V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3020 pF @ 1000 V

功率耗散（最大值）：310W

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：模塊

應用

●高可靠性電源系統(tǒng)

●高效交流/直流和直流/交流轉換器

●電機控制

●交流開關

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