STL52N60DM6 600V、N通道功率MOSFET是MDmesh? DM6快速恢復(fù)二極管的組成部分。該款功率MOSFET具有極低恢復(fù)電荷 (Qrr)、極短恢復(fù)時(shí)間 (trr) 以及低RDS(on)，適用于要求極為苛刻的高效轉(zhuǎn)換器，并且是橋式拓?fù)浜蚙VS相移轉(zhuǎn)換器的理想之選。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：45A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：84 毫歐 @ 22.5A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：52 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：2468 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：174W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PowerFlat?（8x8）HV

封裝/外殼：8-PowerVDFN

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