STH13N120K5-2AG N通道功率MOSFET采用MDmesh K5技術(shù)，該技術(shù)基于創(chuàng)新的專用垂直結(jié)構(gòu)。因此，對于需要出色功率密度和高效率的應(yīng)用，可大幅降低導(dǎo)通電阻并實現(xiàn)超低柵極電荷。該器件符合AEC-Q101標準并具有齊納保護功能。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：1200 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：12A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：690 毫歐 @ 6A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5V @ 100μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：44.2 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：250W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：H2PAK-2

封裝/外殼：TO-263-3，D2PAK（2 引線 + 凸片），TO-263AB

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