STO67N60DM6 N溝道功率MOSFET是一款快速恢復體二極管，將極低恢復電荷 (Qrr) 和恢復時間 (trr) 與最有效的開關行為相結(jié)合。該器件具有出色的開關性能、低柵極輸入電阻以及更低的單位面積RDS (on) ，非常適合用于LLC轉(zhuǎn)換器和升壓PFC轉(zhuǎn)換器。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：33A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：59 毫歐 @ 23.75A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：72.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±25V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3400 pF @ 100 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：150W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：TOLL（HV）

封裝/外殼：8-PowerSFN

基本產(chǎn)品編號：STO67

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