商品名稱：AFGHL75T65SQDT
數據手冊：
AFGHL75T65SQDT.PDF
品牌：ON
年份：23+
封裝：TO-247-3
貨期：全新原裝
庫存數量：10000 件
安森美半導體AFGHL75T65SQDT場終止型溝槽IGBT采用場終止型第4代高速IGBT技術。AFGHL75T65SQDT通過了AEC Q101認證，為汽車應用中的硬開關和軟開關拓撲結構提供了最佳性能。
特征
?AEC?Q101合格
?最高結溫：TJ=175°C
?正溫度高效，便于并行操作
?高電流能力
?低飽和電壓：VCE（Sat）=1.6 V（Typ.）@IC=75 A
?100%的零件都經過了ILM測試（注2）
?快速切換
?緊密的參數分布
?符合RoHS
典型應用
?汽車HEV?EV車載充電器
?汽車HEV?EV DC?DC轉換器
?圖騰柱無橋PFC
型號
品牌
封裝
數量
描述
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安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)是應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商。公司的產品系列包括電源和信號管理、邏輯、分立及定制器件，幫助客戶解決他們在汽車、通信、計算機、消費電子、工業(yè)、LED照明、醫(yī)療、軍事/航空及電源應用的獨…
NCV33202VDR2G
NCV33202VDR2G 運算放大器的輸入和輸出均可實現軌至軌操作。輸入可驅動至超出電源軌 200mV 的高電平，而輸出不會發(fā)生相位反轉，輸出可在每個軌 50 mV 范圍內擺動。這種軌至軌的工作方式使用戶能夠充分利用可用的電源電壓范圍。它的設計工作電壓非常低（+/- 0.9 V），但可…
NB6N11SMNG
NB6N11SMNG是差分 1:2 時鐘或數據接收器，可接受 AnyLevelTM 輸入信號： LVPECL、CML、LVCMOS、LVTTL 或 LVDS。
AFGH4L25T120RWD
AFGH4L25T120RWD是一款通過AEC Q101 認證的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) ，具有堅固且具有成本效益的場停止 VII 溝槽結構。AFGH4L25T120RWD IGBT在苛刻的開關應用中提供卓越的性能，具有低導通狀態(tài)電壓和最小的開關損耗，優(yōu)化了在汽車應用中硬開關和軟開關拓撲的性能。技術…
AFGH4L25T120RW
AFGH4L25T120RW是一款單N溝道1200V 25A絕緣柵極雙極晶體管 (IGBT)，它采用堅固、高性價比的場終止型VII溝槽結構。AFGH4L25T120RW在要求苛刻的開關應用中提供出色的性能。低導通電壓和最小開關損耗在汽車應用中提供最佳的硬開關和軟開關拓撲性能。技術參數AFGH4L25T120RW的…
FGAF40N60SMD
FGAF40N60SMD是一款600 V 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) ，主要應用于電力電子設備中。該IGBT具有以下主要規(guī)格：配置：Single集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：600 V集電極—射極飽和電壓：1.9 V柵極/發(fā)射極最大電壓：- 20 V, 20 V在25 C的連續(xù)集電極電流：80 APd-功率耗散：115 W…
FGY4L75T120SWD
FGY4L75T120SWD是一款采用新穎的場終止型第7代IGBT技術和采用TO-247 4?lead封裝的第7代二極管。該IGBT具有最佳的性能，具有低開關和導通損耗，可在太陽能逆變器、UPS和ESS等各種應用中實現高效率運行。技術規(guī)格FGY4L75T120SWD的主要規(guī)格包括：配置：Single集電極—發(fā)射極…電話咨詢：86-755-83294757
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