NVBG070N120M3S碳化硅 (SIC) MOSFET是設計用于快速開關(guān)應用的1200V M3S平面EliteSiC MOSFET。該MOSFET由18V柵極驅(qū)動驅(qū)動時可提供最佳性能，但也可與15V柵極驅(qū)動配合使用。具有57nC超低柵極電荷、57pF高速開關(guān)（電容低）以及65mΩ典型漏極-源極導通電阻（VGS=18V時）。

特點

● 典型值 RDS(on) = 65 m @ VGS = 18 V

● 超低柵極電荷 (QG(tot) = 57 nC)

● 高速開關(guān)，低電容（Coss = 57 pF）

● 100% 通過雪崩測試

● 通過 AEC-Q101 認證和 PPAP 認證

● 該器件不含鹵化物，符合 RoHS 7a 豁免要求、

● 無鉛 2LI（在第二層互連上）

應用

● 汽車板載充電器

● 用于電動汽車/混合動力汽車的汽車 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

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