STM32L443VCT6 器件嵌入了高速存儲器、Quad SPI 閃存接口以及連接到兩個 APB 總線、兩個 AHB 總線和一個 32 位多 AHB 總線矩陣的大量增強型 I/O 和外設。

STM32L443VCT6 器件為嵌入式閃存和 SRAM 嵌入了多種保護機制：讀出保護、寫保護、專有代碼讀出保護和防火墻。

特性

1.71 V 至 3.6 V 電源

-40 °C 至 85/105/125 °C 溫度范圍

VBAT 模式下 200 nA：為 RTC 和 32x32 位備份寄存器供電

8 nA 關機模式（5 個喚醒引腳）

28 nA 待機模式（5 個喚醒引腳）

280 nA 帶 RTC 的待機模式

1.0 μA 停止 2 模式，1.28 μA 帶 RTC

84 μA/MHz 運行模式

批量采集模式 (BAM)

4 μs 從停止模式喚醒

斷電復位 (BOR)

互連矩陣

4 至 48 MHz 晶體振蕩器

用于 RTC 的 32 kHz 晶體振蕩器（LSE）

內部 16 MHz 工廠微調 RC（±1）

內部低功耗 32 kHz RC（±5）

內部多速 100 kHz 至 48 MHz 振蕩器，由 LSE 自動微調（精度優(yōu)于 ±0.25）

帶時鐘恢復功能的內部 48 MHz

用于系統(tǒng)時鐘、USB、音頻、ADC 的 2 個 PLL

多達 83 個快速 I/O，大部分具有 5 V 容差

帶硬件日歷、警報和校準功能的 RTC

8×40 或 4×44 LCD，帶升壓轉換器

多達 21 個電容式感應通道：支持觸摸鍵、線性和旋轉式觸摸傳感器

14 通道 DMA 控制器

真正的隨機數(shù)發(fā)生器

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