ATSAMV71Q19B-CBT基于ARM的閃存MCU是基于高性能32位ARM? Cortex?-M7處理器（帶浮點(diǎn)單元 (FPU)）的一系列閃存MCU。該器件的工作頻率高達(dá)300MHz。

特性

內(nèi)核

ARM Cortex-M7，運(yùn)行頻率為300MHz

16KB指令高速緩存和16KB數(shù)據(jù)高速緩存，帶糾錯(cuò)碼 (ECC)

單精度和雙精度硬件浮點(diǎn)單元 (FPU)

16區(qū)內(nèi)存保護(hù)單元 (MPU)

DSP指令、Thumb?-2指令集

嵌入式跟蹤模塊 (ETM)，帶指令跟蹤流，包括跟蹤端口接口單元 (TPIU)

存儲器

高達(dá)2048KB嵌入式閃存，具有唯一標(biāo)識符和用戶簽名，用于用戶定義的數(shù)據(jù)

高達(dá)384KB嵌入式多端口SRAM

緊耦合內(nèi)存 (TCM) 接口，具有四種配置（禁用、2x32KB、2x64KB、2x128KB）

帶嵌入式啟動(dòng)加載程序 (UART0, USB) 和IAP例程的16KB ROM

16位靜態(tài)存儲控制器 (SMC)，支持SRAM、PSRAM、LCD模塊、NOR閃存和NAND閃存，具有即時(shí)編程功能

16位SDRAM控制器 (SDRAM)，可連接高達(dá)256MB內(nèi)存并具有即時(shí)編程功能

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