MSC010SDA120K 肖特基勢壘二極管 (SBD) 具有出色的動態(tài)性能和熱性能，優(yōu)于傳統(tǒng)的硅功率二極管。碳化硅勢壘二極管由硅 (Si) 和碳 (C) 組成。與純硅器件相比，碳化硅器件具有更高的介電擊穿場強、更高的帶隙和更高的熱導(dǎo)率。碳化硅肖特基二極管具有零正向和反向恢復(fù)電荷，可減少二極管的開關(guān)損耗。這些器件還設(shè)有溫度獨立開關(guān)，可確保穩(wěn)定的高溫性能。

產(chǎn)品屬性

技術(shù)：SiC（Silicon Carbide）Schottky

電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1200 V

電流 - 平均整流 (Io)：10A

不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 10 A

速度：無恢復(fù)時間 > 500mA（Io）

反向恢復(fù)時間 (trr)：0 ns

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-2

供應(yīng)商器件封裝：TO-220-2

應(yīng)用

● 商業(yè)航空

● 工業(yè)

● 運輸/汽車

● 智能能源

● 醫(yī)療

● 國防和石油鉆探

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