商品名稱：IPDD60R150G7
數(shù)據(jù)手冊：
IPDD60R150G7.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封裝：10-PowerSOP 模塊
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：1000 件
IPDD60R150G7 將現(xiàn)有高壓技術(shù) 600V CoolMOS? G7 超級結(jié) (SJ) MOSFET 的優(yōu)勢與頂部冷卻的創(chuàng)新概念相結(jié)合，為 PFC 等大電流硬開關(guān)拓撲提供了系統(tǒng)解決方案，并為 LLC 拓撲提供了高端能效解決方案。
特性概述
提供同類最佳的 FOM RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
創(chuàng)新的頂部冷卻概念
內(nèi)置第 4 引腳開爾文源配置和低寄生源電感
TCOB 能力 >> 2.000 周期，符合 MSL1 標準，完全無鉛
優(yōu)勢
實現(xiàn)最高能效
電路板和半導(dǎo)體的熱解耦克服了 PCB 的熱限制
減少寄生源電感，提高能效和易用性
實現(xiàn)更高的功率密度解決方案
超越最高質(zhì)量標準
潛在應(yīng)用
電信、服務(wù)器、太陽能、PC 電源和 SMPS
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
ST
PowerFLAT? 5x6
15000
汽車級N溝道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET，PowerFLAT 5x6封裝
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英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立，是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團的半導(dǎo)體部門，于1999年獨立，2000年上市。其中文名稱為億恒科技，2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司，為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要，在這些應(yīng)用中，價格/性能、實時響應(yīng)性、計算能…
ISZ056N03LF2S
ISZ056N03LF2S是（Infineon）推出的StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有 72 A 電流，主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。ISZ056N03LF2S具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。主要規(guī)格FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET…
ISZ033N03LF2S
ISZ033N03LF2S是（Infineon）推出的109 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其關(guān)鍵參數(shù)：FET 類型：N 通道技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）漏源電壓（Vdss）：30 V25C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：20A（Ta），…
IPD030N03LF2S
IPD030N03LF2S是【Infineon】推出的一款99 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD030N03LF2S主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。以下是其核心特性：針對各種應(yīng)用進行了優(yōu)化N溝…
IPD040N03LF2S
IPD040N03LF2S是一款73 A、StrongIRFET? 2 30V功率MOSFET，主要針對低開關(guān)頻率和高開關(guān)頻率進行了優(yōu)化，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性。該設(shè)備具有很高的能效，可提高系統(tǒng)的整體性能，同時還具有出色的穩(wěn)健性。IPD040N03LF2S典型應(yīng)用包括開關(guān)模式電源 (SMPS)、電機驅(qū)動器、電池供電設(shè)…
IPT65R025CM8
IPT65R025CM8是一款根據(jù)超級結(jié)（SJ）原理設(shè)計的101 A、CoolMOS? CM8 650V功率MOSFET，具有低開關(guān)和導(dǎo)通損耗。該款MOSFET具有低振鈴特性及PFC與PWM級通用性，可實現(xiàn)快速設(shè)計導(dǎo)入。IPT65R025CM8采用先進的芯片連接技術(shù)，可簡化熱管理。此外，IPT65R025CM8符合RoHS標準，且…電話咨詢：86-755-83294757
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