英飛凌推出最新的IAUC120N04S6L012 OptiMOS?6 40V 功率 MOS 技術(shù)，采用 5x6mm2 SS08 無引線封裝，具有最高的質(zhì)量水平和堅固性，適用于汽車應(yīng)用。

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 40 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) ：120A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 1.21 毫歐 @ 60A，10V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 2V @ 60μA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 80 nC @ 10 V  

Vgs（最大值）： ±16V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4832 pF @ 25 V  

功率耗散（最大值）： 115W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

安裝類型： 表面貼裝型  

供應(yīng)商器件封裝： PG-TDSON-8  

封裝/外殼： 8-PowerTDFN

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  答：所有上架的在線商品均可在線即可下單，但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大，目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常，您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。

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