STL120N10F8 N-溝道增強(qiáng)模式標(biāo)準(zhǔn)級(jí)100V，最高4.6mohm，125A STripFET F8功率MOSFET（采用PowerFLAT 5x6封裝）。

這款 N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技術(shù)，具有增強(qiáng)型溝槽柵結(jié)構(gòu)。

它能確保極低的導(dǎo)通電阻，同時(shí)降低內(nèi)部電容和柵極電荷，從而實(shí)現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。

規(guī)格

制造商: STMicroelectronics

產(chǎn)品種類: MOSFET

技術(shù): Si

安裝風(fēng)格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: PowerFLAT 5x6

晶體管極性: N-Channel

通道數(shù)量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V

Id-連續(xù)漏極電流: 125 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 4.6 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 56 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

下降時(shí)間: 17 ns

上升時(shí)間: 16 ns

晶體管類型: 1 N-Channel

典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 41 ns

典型接通延遲時(shí)間: 17 ns

單位重量: 76 mg

應(yīng)用

開關(guān)應(yīng)用

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