IPF014N08NF2S StrongIRFET?2功率MOSFET 80V具有1.4 mOhm的低RDS（ON），該MOSFET優(yōu)化用于各種應(yīng)用，包括電源管理（SMPS）、適配器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電池供電應(yīng)用、電池管理、UPS、輕型電動(dòng)車(chē)。

規(guī)格

FET 類(lèi)型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：80 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：282A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.4 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 267μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：255 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：12000 pF @ 40 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：300W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類(lèi)型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-7-14

封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA

基本產(chǎn)品編號(hào)：IPF014N

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