NTMTS0D7N06CTXG是采用先進的功率溝槽工藝（結(jié)合屏蔽柵極技術(shù)）生產(chǎn)的30V、40V和60V MOSFET。該工藝經(jīng)過優(yōu)化，可最大限度地降低導通電阻，另外還采用出色的軟體二極管，可保持卓越的開關(guān)性能。采用各種小尺寸封裝選項，可提高設計靈活性。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：60.5A（Ta），464A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：0.72 毫歐 @ 50A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：152 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：11535 pF @ 30 V

功率耗散（最大值）：5W（Ta），294.6W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：8-DFNW（8.3x8.4）

封裝/外殼：8-PowerTDFN

應用

● ORing

● 電機驅(qū)動器

● 直流-直流轉(zhuǎn)換器

● 功率負載開關(guān)

● 電池管理

● 高端計算

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