IPB011N04NF2S 是采用D2PAK封裝的StrongIRFET? 2 單一N通道40V 功率MOSFET器件，具有1.15 mOhm的低RDS(on)，可滿足從低開關(guān)頻率到高開關(guān)頻率的廣泛應(yīng)用。

規(guī)格

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：43A（Ta），201A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：6V，10V

不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1.15 毫歐 @ 100A，10V

不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：3.4V @ 249μA

不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：315 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：15000 pF @ 20 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），375W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應(yīng)商器件封裝：PG-TO263-3

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

基本產(chǎn)品編號(hào)：IPB011

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