NTHL015N065SC1 12mΩ碳化硅MOSFET采用 TO-247-3L封裝，設計快速堅固。器件具有10倍介電擊穿場強度和2倍電子飽和速度。這些MOSFET還具有3倍能量帶間隙和3倍導熱性。NTHL015N065SC1符合AEC-Q101標準并具有PPA選項，專門設計用于汽車應用并符合其相關要求。

產(chǎn)品屬性

FET 類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：163A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：15V，18V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：18 毫歐 @ 75A，18V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.3V @ 25mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：283 nC @ 18 V

Vgs（最大值）：+22V，-8V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：4790 pF @ 325 V

功率耗散（最大值）：643W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

應用

● 開關模式電源 (SMPS)

● 太陽能逆變器

● 不間斷電源 (UPS)

● 儲能

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