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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

NXH300B100H4Q2F2PG
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 雙,共源 1118 V 73 A 194 W 底座安裝 27-PIM(71x37.4)

封裝:27-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FAM65CR51DZ2
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 650 V 33 A 160 W 通孔 APMCD-B16

封裝:12-SSIP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50M65L4Q1SG
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 全橋 650 V 48 A 86 W 底座安裝 56-PIM(93x47)

封裝:56-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAP0560L3TT
ON

產(chǎn)品說明:功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 5 A 29-PowerSSIP 模塊,21 引線,成形引線

封裝:SIP29
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH350N100H4Q2F2P1G
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 1000 V 303 A 276 W 底座安裝 42-PIM/Q2PACK(93x47)

封裝:42-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2SG
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2ESG
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ESG
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝:26-DIP
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ES1G
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH25C120L2C2SG
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2S1G
ON

產(chǎn)品說明:IGBT 模塊 三相反相器,帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D7N04CTXG
ON

產(chǎn)品說明:功率MOSFET,單N溝道,40 V,0.67 mOhms,420 A

封裝:DFNW-8
10起
2540
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N120SC1
ON

產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

封裝:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTTFD4D0N04HLTWG
ON

產(chǎn)品說明:MOSFET - 陣列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面貼裝型 12-WQFN(3.3x3.3)

封裝:WQFN-12
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG080N120SC1
ON

產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

封裝:D2PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L022N120M3S
ON

產(chǎn)品說明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L

封裝:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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