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產(chǎn)品分類

AI 處理器

電阻器網(wǎng)絡(luò)

品牌:

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買數(shù)量

單價(jià)

操作

NXH300B100H4Q2F2PG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 雙，共源 1118 V 73 A 194 W 底座安裝 27-PIM（71x37.4）

封裝：27-PIM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FAM65CR51DZ2
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 2 個(gè)獨(dú)立式 650 V 33 A 160 W 通孔 APMCD-B16

封裝：12-SSIP
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50M65L4Q1SG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 全橋 650 V 48 A 86 W 底座安裝 56-PIM（93x47）

封裝：56-PIM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAP0560L3TT
ON

產(chǎn)品說明：功率驅(qū)動(dòng)器模塊 IGBT 三相反相器 600 V 5 A 29-PowerSSIP 模塊，21 引線，成形引線

封裝：SIP29
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH350N100H4Q2F2P1G
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 溝槽型場(chǎng)截止 三級(jí)反相器 1000 V 303 A 276 W 底座安裝 42-PIM/Q2PACK（93x47）

封裝：42-PIM
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2SG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 三相反相器，帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝：26-DIP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2ESG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 三相反相器，帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝：26-DIP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ESG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 三相反相器，帶制動(dòng)器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝：26-DIP
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH50C120L2C2ES1G
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 三相反相器，帶制動(dòng)器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝：26-DIP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH25C120L2C2SG
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 三相反相器，帶制動(dòng)器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝：26-DIP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2S1G
ON

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 三相反相器，帶制動(dòng)器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封裝：26-DIP
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D7N04CTXG
ON

產(chǎn)品說明：功率MOSFET，單N溝道，40 V，0.67 mOhms，420 A

封裝：DFNW-8
10起
2540
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N120SC1
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTTFD4D0N04HLTWG
ON

產(chǎn)品說明：MOSFET - 陣列 40V 15A（Ta），60A（Tc） 1.7W（Ta），26W（Tc） 表面貼裝型 12-WQFN（3.3x3.3）

封裝：WQFN-12
10起
1100
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG080N120SC1
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

封裝：D2PAK-7
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L022N120M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L

封裝：TO-247-4
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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